2D氮化镓（GaN）因其量子限制效应能够实现深紫外发射，激子效应和电子传输性质而备受关注

目前获得的2D GaN仅可以作为原子级薄量子阱或纳米级岛的嵌入层存在，限制了其固有特性进一步探索。武汉大学付磊课题组首次报道了2D GaN单晶的成功生长，并研究了GaN单晶在2D极限下的性能。使用尿素作为氮源，通过CVD的表面限制氮化反应（SCNR）在液态金属Ga上进行生长微米级2D GaN单晶，并证明2D GaN具有均匀增量晶格，独特的声子模式，蓝移光致发光发射和提高内部量子效率，为以前的理论预测提供直接证据。生长的2D GaN表现出160cm 2 V-1 s-1的电子迁移率。这些发现为2D GaN单晶的潜在光电应用铺平了道路。Yunxu Chen, Keli Liu, Jinxin Liu, Tianrui Lv, Bin Wei, Tao Zhang, Mengqi Zeng, Zhongchang Wang, Lei Fu, Growth of 2D GaN Single Crystals on Liquid Metals[J], J. Am. Chem. Soc., 2018.

DOI: 10.1021/jacs.8b08351

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b08351

来源：纳米人网